本报讯 近日，国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度项目立项名单公示结束，我校微电子研究中心主任骆建军教授主持的“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”项目获得立项，这是我校作为主持单位获得的首个千万级国家重点研发项目。项目预算近4000万元，获得1700余万中央财政经费支持。
国家重点研发计划由原国家重点基础研究发展计划（973计划）、国家高技术研究发展计划（863计划）、国家科技支撑计划、国际科技合作与交流专项、产业技术研究与开发基金和公益性行业科研专项等整合而成，是针对事关国计民生的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。
“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”由我校微电子研究中心骆建军教授团队牵头组织，中科院微电子所积极支持，联合我校产学研合作基地杭州华澜微电子有限公司、中电58所、西安电子科技大学、复旦大学、无锡中微高科电子有限公司、无锡中微腾芯电子有限公司共同参与，拟在新型半导体存储器件——阻变存储器（RRAM）方面取得突破性进展，并打通从实验室到产业化的关键环节，实现产业化应用。
微电子研究中心团队是我校第一个浙江省领军型创新团队，设计了我国第一颗固态硬盘（SSD）集成电路控制器芯片并成功产业化，获得浙江省科技进步一等奖。中心开创者、我国著名半导体专家邓先灿教授表示：“集成电路芯片是电子信息系统的心脏，存储器芯片好比数据的仓库，存储控制器芯片是仓库的看门人，我们正在努力打造‘中国芯’，实现‘把中国人的信息存放在中国人自己的硬盘中’的梦想。”（科学技术研究院 微电子研究中心）